Optočlen v pouzdře SMD-4, s výstupním NPN tranzistorem s parametry 55 V/ 100 mA
PIN fotodioda 380-1100nm pro povrchovou montáž
Optočlen obsahující budič IGBT tranzistorů pro povrchovou montáž v pouzdře SMD DIP8
Čtyřnásobný optočlen v pouzdře DIP16
Optočlen obsahující budič IGBT tranzistorů v pouzdře SMD DIP8
Optočlen obsahující Schmittův klopný obvod v pouzdře DIP8
Nastavení